【日時】２０２２年１２月１４日（水）１３：００～１７：００
【場所】 ・招待講演：オンライン（西館W604にて視聴可）
・一般講演（ポスターセッション）：現地開催（下記参照）
【招待講演】 １３：００～１５：００
「ナノ・マイクロデバイス科学の確立を目指した、先端的な半導体エレクトロニクス実装技術及び、バイオマテリアルの研究」
水野 潤 国立成功大学（台湾）
「イオンビーム照射技術を活用した半導体デバイスの宇宙放射線影響研究」
新藤 浩之 宇宙航空研究開発機構（ＪＡＸＡ）
【一般講演】
ポスターセッション １５：３０～１７：００
会場：法政大学小金井キャンパス 東館２階体育館前フロア（ラウンジ２）
※シンポジウム聴講・見学希望者は、下記までご連絡ください。Meeting IDおよびPWをお知らせします。
申し込み先(E-mail )： ion-sympo@ml.hosei.ac.jp （イオンビーム工学研究所）
申し込み方法：メール「シンポジウム参加申込み」
メール本文には、氏名、所属、学生証番号を記載してください。
学外の方は、氏名および所属(企業・官公庁、一般、学生等、学生、生徒の方は学校名)の記載をお願いします。
（ご参考）シンポジウム案内ページ https://www.hosei.ac.jp/ionbeam/katsudo/