研究施設・設備等

バンデグラフ加速器

設備・装置

Highvoltage Engineering社製のバンデグラフ型イオン加速器で最大電圧は250万ボルト。昭和54年に文部省の私立大学研究設備助成を得て導入されました。主に固体表面の深さ方向の定量的組成分析(RBS)や、微量元素分析(PIXE)に用いられています。

性能

加速電圧

0.5~2.0MV

加速イオン

H, He

最大イオン電流

H 150μA
He 10μA
Highvoltage Engineering社製のバンデグラフ型イオン加速器で最大電圧は250万ボルト。昭和54年に文部省の私立大学研究設備助成を得て導入されました。主に固体表面の深さ方向の定量的組成分析(RBS)や、微量元素分析(PIXE)に用いられています。

バンデグラフ分析用ビームライン

分析装置

  • ラザフォード後方散乱用半導体検出器
  • 粒子線励起 X 線分光法(PIXE)用 Si(Li) X 線検出器
  • 高分解能 PIXE 用X線分光器
分析装置  ラザフォード後方散乱用半導体検出器 粒子線励起 X 線分光法(PIXE)用 Si(Li) X 線検出器 高分解能 PIXE 用X線分光器

バンデグラフ加速器制御盤と計測装置

  • NEC PC-9801VM
  • SEIKO EG&G MCA7700
バンデグラフ加速器制御盤と計測装置