【日 時】2025年12月10日(水)10:00~17:00予定
【場 所】法政大学小金井キャンパス(※)
・招待講演及び一般講演(ショート講演):マルチメディアホール
10:00~15:00予定
・一般講演(ポスター発表):東館体育館前フロア
15:30~17:00予定
【招待講演】
「ダイヤモンド半導体へ室温イオン注入したP原子の新しいアニール手法によるN型電気的活性化
ーMeV級イオン照射による新しいアニール手法の導入ー」
中田 穣治 神奈川大学 名誉教授
「学生に送る 研究者としての人生で運がドンドン良くなる方法
ー化合物半導体の研究・開発の経験からー」
三島 友義 元法政大学教授
【一般講演】ショート講演及びポスター発表
※招待講演、ショート講演をオンラインにて聴講を希望する場合は、下記までご連絡ください。Meeting IDおよびPWをお知らせします。
申し込み先(E-mail ): ion-sympo@ml.hosei.ac.jp (イオンビーム工学研究所)
申し込み方法:メール「シンポジウムオンライン参加申込み」
メール本文には、氏名、所属、学生証番号を記載してください。
学外の方は、氏名および所属(企業・官公庁、一般、学生等、学生、生徒の方は学校名)の記載をお願いします。