【日 時】２０２５年１２月１０日（水）１０：００～１７：００予定
【場 所】法政大学小金井キャンパス（※）
・招待講演及び一般講演（ショート講演）：マルチメディアホール
１０：００～１５：００予定
・一般講演（ポスター発表）：東館体育館前フロア
１５：３０～１７：００予定
【招待講演】
「ダイヤモンド半導体へ室温イオン注入したドーパントＰ原子の新しいアニール手法によるＮ型電気的活性化
ーMeV級イオン照射による新しいアニール手法の導入ー」
中田 穣治 神奈川大学 名誉教授
「学生に送る 研究者としての人生で運がドンドン良くなる方法
ー化合物半導体の研究・開発の経験からー」
三島 友義 元法政大学教授／大阪大学招聘教授
【一般講演】ショート講演及びポスター発表
※招待講演、ショート講演をオンラインにて聴講を希望する場合は、下記までご連絡ください。Meeting IDおよびPWをお知らせします。
申し込み先（E-mail )： ion-sympo@ml.hosei.ac.jp （イオンビーム工学研究所）
申し込み方法：メール「シンポジウムオンライン参加申込み」
メール本文には、氏名、所属、学生証番号を記載してください。
学外の方は、氏名および所属(企業・官公庁、一般、学生等、学生、生徒の方は学校名)の記載をお願いします。