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第29回法政大学 イオンビーム工学研究所シンポジウム

2010年11月01日

The 29th Symposium on Materials Science and Engineering
Research Center of Ion Beam Technology Hosei University

開催概要

  • 期日
    2010年12月 8日 (水)
  • 会場
    法政大学 小金井キャンパス (東京都小金井市梶野町3-7-2)
    (会場詳細などは当日、キャンパス入口でご案内いたします)
  • 主催
    法政大学 イオンビーム工学研究所
  • 参加費
    無料(但し、資料(アブストラクト):¥1,000-)

法政大学イオンビーム工学研究所は法政大学100周年を記念して設立されました。本シンポジウムは1982年に第1回を開催し、イオンビームの電子材料技術への応用、分析技術などの研究成果を討論する目的で開催してまいりました。
今年度のシンポジウムは「イオンビーム技術の進展」をテーマとしております。このイオンビームが広く利用されている分野での最先端の研究の話題や情報を提供していただき、活発な討論の場といたしたいと考えております。講演は招待講演と一般講演で構成され、一般講演ではショート講演とポスターセッションを予定しております。また、シンポジウムで発表された論文はProceedings(2010) として2011年3月に発行する予定です。本シンポジウムは1982年に第1回を開催し、イオンビームの電子材料技術への応用、分析技術などの研究成果を討論する目的で開催してまいりました。

招待講演

  • 和田 智之(理化学研究所)「レーザーの宇宙、環境、エネルギー分野への新展開」
  • 松尾 二郎(京都大学)「量子ビームで先導する先端プロセス・計測技術」
  • 鈴木 良一(産業技術総合研究所) 「針葉樹型カーボンナノ構造体を用いた可搬型X線源」
  • 中村 智宣(鬼塚硝子)「炭素系電界放出電子源を用いた超小型X線管」

一般講演

「生体微量元素分析技術」「ナノパーティクル形成などナノテクノロジーへの応用」「ワイドバンドギャップ半導体のデバイス技術」「半導体への不純物ドープおよび金属、絶縁物の表面改質」「薄膜結晶、VLSI用電極などの成膜技術」「プラズマプロセス、イオン源および分析技術などのイオンビーム工学関連技術」などのテーマで行われます。